在(zai)(zai)激(ji)光(guang)(guang)(guang)惯(guan)性(xing)(xing)(xing)约(yue)(yue)束(shu)核(he)(he)聚变实(shi)(shi)验(yan)中，靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)的(de)(de)(de)(de)物性(xing)(xing)(xing)参(can)数(shu)(shu)和(he)几何参(can)数(shu)(shu)是(shi)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)制备工艺(yi)改进和(he)仿真(zhen)模拟核(he)(he)聚变实(shi)(shi)验(yan)过(guo)程的(de)(de)(de)(de)基础(chu)，因此如何对(dui)(dui)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)多个(ge)参(can)数(shu)(shu)进行同步(bu)、高(gao)(gao)精度、无损的(de)(de)(de)(de)综合(he)检测(ce)(ce)(ce)是(shi)激(ji)光(guang)(guang)(guang)惯(guan)性(xing)(xing)(xing)约(yue)(yue)束(shu)核(he)(he)聚变实(shi)(shi)验(yan)中的(de)(de)(de)(de)关(guan)键(jian)问题(ti)。以上各种薄膜(mo)(mo)厚度及(ji)折(zhe)射(she)率(lv)的(de)(de)(de)(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)方法(fa)各有(you)(you)利弊，但针对(dui)(dui)本文实(shi)(shi)验(yan)，仍然无法(fa)满足激(ji)光(guang)(guang)(guang)核(he)(he)聚变技术对(dui)(dui)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)参(can)数(shu)(shu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)的(de)(de)(de)(de)高(gao)(gao)要求，靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)参(can)数(shu)(shu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)存(cun)在(zai)(zai)以下问题(ti)：不(bu)能对(dui)(dui)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)进行破坏(huai)性(xing)(xing)(xing)切割(ge)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)，否则，被破坏(huai)后的(de)(de)(de)(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)无法(fa)用于于下一(yi)步(bu)工艺(yi)处(chu)理(li)或者打靶(ba)(ba)(ba)实(shi)(shi)验(yan)；需要同时(shi)测(ce)(ce)(ce)得靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)的(de)(de)(de)(de)多个(ge)参(can)数(shu)(shu)，不(bu)同参(can)数(shu)(shu)的(de)(de)(de)(de)单独测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)，无法(fa)提供靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)制备和(he)核(he)(he)聚变反应过(guo)程中发(fa)生的(de)(de)(de)(de)结构变化现象(xiang)和(he)规律，并且效率(lv)低(di)下、没有(you)(you)统一(yi)的(de)(de)(de)(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)标准(zhun)。靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)属于自(zi)支撑球(qiu)形薄膜(mo)(mo)结构，曲面(mian)应力(li)大、难展(zhan)平(ping)的(de)(de)(de)(de)特点导致(zhi)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)(wan)与基底不(bu)能完全(quan)贴合(he)，在(zai)(zai)微(wei)区内可看作类薄膜(mo)(mo)结构白(bai)光(guang)(guang)(guang)干(gan)涉膜(mo)(mo)厚测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)技术可以对(dui)(dui)薄膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)(de)表面(mian)和(he)内部进行联合(he)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)和(he)分析。工厂膜(mo)(mo)厚仪推(tui)荐

论文主(zhu)要以半导体(ti)(ti)锗和贵金(jin)属金(jin)两(liang)种材料(liao)为(wei)对象，研究(jiu)了(le)白(bai)光(guang)(guang)干涉(she)法(fa)(fa)、表(biao)面(mian)等离子体(ti)(ti)共振法(fa)(fa)和外差干涉(she)法(fa)(fa)实现(xian)纳米级薄(bo)膜(mo)(mo)厚(hou)度准确(que)测(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)(de)可行性。由于不(bu)(bu)同材料(liao)薄(bo)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)特(te)性不(bu)(bu)同，所(suo)适用(yong)的(de)(de)(de)测(ce)量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)也不(bu)(bu)同。半导体(ti)(ti)锗膜(mo)(mo)具有折射率高(gao)，在通信波段(duan)（1550nm附(fu)近）不(bu)(bu)透(tou)明的(de)(de)(de)特(te)点，选(xuan)择采(cai)用(yong)白(bai)光(guang)(guang)干涉(she)的(de)(de)(de)测(ce)量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)；而(er)厚(hou)度更薄(bo)的(de)(de)(de)金(jin)膜(mo)(mo)的(de)(de)(de)折射率为(wei)复数，且能激发的(de)(de)(de)表(biao)面(mian)等离子体(ti)(ti)效应(ying)，因而(er)可借(jie)助基于表(biao)面(mian)等离子体(ti)(ti)共振的(de)(de)(de)测(ce)量(liang)(liang)(liang)方法(fa)(fa)；为(wei)了(le)进一步改善测(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)(de)精度，论文还(hai)研究(jiu)了(le)外差干涉(she)测(ce)量(liang)(liang)(liang)法(fa)(fa)，通过引入(ru)高(gao)精度的(de)(de)(de)相(xiang)位解(jie)调(diao)手段(duan)，检测(ce)P光(guang)(guang)与S光(guang)(guang)之(zhi)间的(de)(de)(de)相(xiang)位差提升厚(hou)度测(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)(de)(de)精度。推荐膜(mo)(mo)厚(hou)仪源(yuan)头直(zhi)供厂家白(bai)光(guang)(guang)干涉(she)膜(mo)(mo)厚(hou)测(ce)量(liang)(liang)(liang)技术可以应(ying)用(yong)于材料(liao)科学中的(de)(de)(de)薄(bo)膜(mo)(mo)微结构(gou)分析。

针(zhen)对(dui)微米(mi)级(ji)工(gong)业(ye)薄膜(mo)(mo)厚(hou)度测(ce)(ce)(ce)量(liang)，研究了基于宽光(guang)谱(pu)干(gan)涉的(de)(de)反(fan)射式法(fa)(fa)测(ce)(ce)(ce)量(liang)方法(fa)(fa)。根(gen)据薄膜(mo)(mo)干(gan)涉及光(guang)谱(pu)共聚焦原理，综合考虑成(cheng)本、稳定性、体积等因素要(yao)求，研制了满足工(gong)业(ye)应(ying)用的(de)(de)小型薄膜(mo)(mo)厚(hou)度测(ce)(ce)(ce)量(liang)系(xi)统。根(gen)据波长分(fen)(fen)辨下的(de)(de)薄膜(mo)(mo)反(fan)射干(gan)涉光(guang)谱(pu)模型，结合经典模态分(fen)(fen)解和非均匀傅(fu)里叶变换思想(xiang)，提(ti)出了一(yi)种基于相位功率谱(pu)分(fen)(fen)析的(de)(de)膜(mo)(mo)厚(hou)解算算法(fa)(fa)，能(neng)有(you)效利(li)用全光(guang)谱(pu)数据准确(que)提(ti)取相位变化，对(dui)由(you)环境噪声带来的(de)(de)假频干(gan)扰，具有(you)很好的(de)(de)抗干(gan)扰性。通(tong)过(guo)对(dui)PVC标准厚(hou)度片(pian)(pian)，PCB板芯片(pian)(pian)膜(mo)(mo)层及锗基SiO2膜(mo)(mo)层的(de)(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)实(shi)验(yan)对(dui)系(xi)统性能(neng)进(jin)行了验(yan)证，结果表明(ming)测(ce)(ce)(ce)厚(hou)系(xi)统具有(you)1~75μm厚(hou)度的(de)(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)量(liang)程，μm.的(de)(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)不确(que)定度。由(you)于无(wu)需对(dui)焦，可在10ms内完(wan)成(cheng)单次测(ce)(ce)(ce)量(liang)，满足工(gong)业(ye)级(ji)测(ce)(ce)(ce)量(liang)高效便捷(jie)的(de)(de)应(ying)用要(yao)求。

光(guang)(guang)(guang)(guang)具(ju)有传播的(de)(de)(de)特性，不(bu)同波列(lie)在(zai)(zai)相(xiang)(xiang)遇的(de)(de)(de)区域(yu)，振动(dong)(dong)将相(xiang)(xiang)互叠加(jia)，是各(ge)列(lie)光(guang)(guang)(guang)(guang)波独自在(zai)(zai)该点所(suo)引起的(de)(de)(de)振动(dong)(dong)矢量(liang)(liang)(liang)(liang)和。两(liang)束(shu)光(guang)(guang)(guang)(guang)要发生干(gan)(gan)涉(she)(she)，应必须满足三个(ge)相(xiang)(xiang)干(gan)(gan)条件，即(ji)：频率(lv)一(yi)致(zhi)、振动(dong)(dong)方(fang)向一(yi)致(zhi)、相(xiang)(xiang)位(wei)(wei)差稳定(ding)一(yi)致(zhi)。发生干(gan)(gan)涉(she)(she)的(de)(de)(de)两(liang)束(shu)光(guang)(guang)(guang)(guang)在(zai)(zai)一(yi)些(xie)地方(fang)振动(dong)(dong)加(jia)强(qiang)，而在(zai)(zai)另(ling)一(yi)些(xie)地方(fang)振动(dong)(dong)减弱，产生规(gui)则的(de)(de)(de)明暗交替变化(hua)。任(ren)何干(gan)(gan)涉(she)(she)测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)都是完全建立在(zai)(zai)这(zhei)种(zhong)光(guang)(guang)(guang)(guang)波典(dian)型特性上的(de)(de)(de)。下图分别(bie)表示干(gan)(gan)涉(she)(she)相(xiang)(xiang)长和干(gan)(gan)涉(she)(she)相(xiang)(xiang)消(xiao)的(de)(de)(de)合(he)振幅。与激光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)源(yuan)相(xiang)(xiang)比，白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)源(yuan)的(de)(de)(de)相(xiang)(xiang)干(gan)(gan)长度(du)在(zai)(zai)几微米到几十微米内，通常都很短(duan)，更为(wei)重(zhong)要的(de)(de)(de)是，白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)源(yuan)产生的(de)(de)(de)干(gan)(gan)涉(she)(she)条纹具(ju)有一(yi)个(ge)典(dian)型的(de)(de)(de)特征(zheng)：即(ji)条纹有一(yi)个(ge)固(gu)定(ding)不(bu)变的(de)(de)(de)位(wei)(wei)置，该固(gu)定(ding)位(wei)(wei)置对应于(yu)光(guang)(guang)(guang)(guang)程差为(wei)零的(de)(de)(de)平衡位(wei)(wei)置，并(bing)在(zai)(zai)该位(wei)(wei)置白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)输出光(guang)(guang)(guang)(guang)强(qiang)度(du)具(ju)有最大(da)值(zhi)，并(bing)通过探测(ce)该光(guang)(guang)(guang)(guang)强(qiang)最大(da)值(zhi)，可实现(xian)样(yang)品表面位(wei)(wei)移的(de)(de)(de)精(jing)密(mi)测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)。此外，白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)光(guang)(guang)(guang)(guang)源(yuan)具(ju)有系统抗(kang)干(gan)(gan)扰(rao)能力强(qiang)、稳定(ding)性好且(qie)动(dong)(dong)态(tai)范(fan)围大(da)、结(jie)构简单(dan)，成本低廉(lian)等优点。因此，白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)垂(chui)直(zhi)扫描干(gan)(gan)涉(she)(she)、白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)反射光(guang)(guang)(guang)(guang)谱等基于(yu)白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)(she)的(de)(de)(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)学测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)技术在(zai)(zai)薄(bo)膜三维形貌测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)、薄(bo)膜厚(hou)度(du)精(jing)密(mi)测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)等领域(yu)得以广泛应用(yong)。白(bai)光(guang)(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)(she)膜厚(hou)测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)技术可以实现(xian)对薄(bo)膜表面形貌的(de)(de)(de)测(ce)量(liang)(liang)(liang)(liang)。

在初始相位(wei)(wei)为零(ling)的(de)(de)情况(kuang)下，当被(bei)测光(guang)(guang)(guang)与参考光(guang)(guang)(guang)之间的(de)(de)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)为零(ling)时，光(guang)(guang)(guang)强(qiang)度(du)将(jiang)达到最大(da)值。为探(tan)测两个(ge)光(guang)(guang)(guang)束(shu)之间的(de)(de)零(ling)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)位(wei)(wei)置(zhi)，需要精(jing)密Z向(xiang)运(yun)动台带动干(gan)(gan)涉(she)镜头作垂(chui)直扫(sao)描运(yun)动或移动载物(wu)台，垂(chui)直扫(sao)描过(guo)(guo)程(cheng)(cheng)中，用探(tan)测器记录(lu)下干(gan)(gan)涉(she)光(guang)(guang)(guang)强(qiang)，可(ke)得白光(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)信号强(qiang)度(du)与Z向(xiang)扫(sao)描位(wei)(wei)置(zhi)（两光(guang)(guang)(guang)束(shu)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)）之间的(de)(de)变(bian)化曲线。干(gan)(gan)涉(she)图(tu)像序列(lie)中某波长处的(de)(de)白光(guang)(guang)(guang)信号强(qiang)度(du)随光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)变(bian)化示意图(tu)，曲线中光(guang)(guang)(guang)强(qiang)极大(da)值位(wei)(wei)置(zhi)即为零(ling)光(guang)(guang)(guang)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)位(wei)(wei)置(zhi)，通过(guo)(guo)零(ling)过(guo)(guo)程(cheng)(cheng)差(cha)(cha)位(wei)(wei)置(zhi)的(de)(de)精(jing)密定位(wei)(wei)，即可(ke)实现样(yang)品(pin)表(biao)面相对位(wei)(wei)移的(de)(de)精(jing)密测量；通过(guo)(guo)确定最大(da)值对应(ying)的(de)(de)Z向(xiang)位(wei)(wei)置(zhi)可(ke)获得被(bei)测样(yang)品(pin)表(biao)面的(de)(de)三维高度(du)。白光(guang)(guang)(guang)干(gan)(gan)涉(she)膜(mo)厚测量技(ji)术可(ke)以实现对薄膜(mo)的(de)(de)非接(jie)触(chu)式测量。防水膜(mo)厚仪制(zhi)造(zao)厂家

白(bai)光干(gan)涉膜厚测(ce)量技(ji)术可以实现对复杂薄(bo)膜结构(gou)的(de)测(ce)量。工(gong)厂膜厚仪推荐

为了(le)分析白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)的(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)范围(wei)，开(kai)展了(le)不同壁厚(hou)(hou)(hou)(hou)的(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)实(shi)(shi)(shi)验(yan)。图是不同壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)的(de)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)曲线，如图所示，对(dui)于壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)30μm的(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)，其白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)各谱(pu)(pu)(pu)峰(feng)(feng)非(fei)(fei)常密集、干(gan)涉(she)(she)级(ji)次数值大；此外，由于靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)的(de)吸收，壁厚(hou)(hou)(hou)(hou)较大的(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)信(xin)号(hao)(hao)强度(du)(du)(du)相(xiang)对(dui)较弱。随着靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)的(de)进一步增(zeng)加，其白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)各谱(pu)(pu)(pu)峰(feng)(feng)将更加密集，难以实(shi)(shi)(shi)现(xian)对(dui)各干(gan)涉(she)(she)谱(pu)(pu)(pu)峰(feng)(feng)波长(zhang)的(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)。为实(shi)(shi)(shi)现(xian)较大厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)的(de)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)，需采用红外的(de)宽(kuan)谱(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)源和光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)探测(ce)(ce)(ce)器。对(dui)于壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)为μm的(de)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)，测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)的(de)波峰(feng)(feng)相(xiang)对(dui)较少，容(rong)易实(shi)(shi)(shi)现(xian)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)谱(pu)(pu)(pu)峰(feng)(feng)波长(zhang)的(de)准确测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)；随着靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)的(de)进一步减小，两干(gan)涉(she)(she)信(xin)号(hao)(hao)之间的(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)程差差异非(fei)(fei)常小，以至(zhi)于他(ta)们的(de)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)信(xin)号(hao)(hao)中(zhong)只有一个干(gan)涉(she)(she)波峰(feng)(feng)，基于峰(feng)(feng)值探测(ce)(ce)(ce)的(de)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)方法难以实(shi)(shi)(shi)现(xian)其厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)的(de)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)；为实(shi)(shi)(shi)现(xian)较小厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)靶(ba)(ba)(ba)丸(wan)壳(qiao)(qiao)层(ceng)(ceng)(ceng)(ceng)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)的(de)白光(guang)(guang)(guang)(guang)反射(she)(she)光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)测(ce)(ce)(ce)量(liang)(liang)(liang)，可采用紫外的(de)宽(kuan)谱(pu)(pu)(pu)光(guang)(guang)(guang)(guang)源和光(guang)(guang)(guang)(guang)谱(pu)(pu)(pu)探测(ce)(ce)(ce)器提升其探测(ce)(ce)(ce)厚(hou)(hou)(hou)(hou)度(du)(du)(du)下限。工厂膜(mo)厚(hou)(hou)(hou)(hou)仪推荐

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